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電子技術(shù)論壇

第一章 MOS晶體管原理與特性

§1.1 MOS晶體管一般介紹

一、MOS場效應(yīng)管晶體管的結(jié)構(gòu)及工作原理

二、MOS晶體管的四種類型

三、MOS場效晶體管的特點



§1.2 MOS 晶體管的物理基礎(chǔ)

一、理想MOS系統(tǒng)在外場作用下的硅表面

二、表面勢及空間電荷區(qū)的電荷

三、MOS電容

四、實際MOS系統(tǒng)的硅表面

五、MOS器件的閾值電壓



§1.3 MOS晶體管的輸出特性

一、 MOS晶體管輸出的特性的定性討論

二、MOS晶體管電流-電壓特性方程


§1.4 MOS晶體管的主要參數(shù)

一、直流參數(shù)

二、低頻小信號參數(shù)

三、MOS晶體管的最高頻率



§1.5 MOS晶體管的最高頻率

一、導電因子隨溫度的變化

二、閾值電壓溫度的變化


§1.6 MOS晶體管圖形設(shè)計舉例


第二章 MOS倒相器和門電路

§2.1 電阻負載MOS倒相器

一、工作原理

二、負載線與工作點

三、不同負載對倒相器性能的影響



§2.2 E/E MOS倒相器

一、工作原理

二、靜態(tài)特性分析

三、瞬態(tài)響應(yīng)

四、MOS倒相器設(shè)計舉例


§2.3 E/DMOS倒相器

一、工作原理

二、靜態(tài)分析

三、瞬態(tài)分析



§2.4 CMOS倒相器

一、CMOS倒相器原理

二、直流傳輸特性和噪聲容限

三、瞬態(tài)響應(yīng)

四、功耗討論


§2.5 MOS門電路與傳輸門

一、單溝道MOS門電路

二、CMOS門電路

三、MOS傳輸門



第三章 觸發(fā)器和其它邏輯部件

§3.1 MOS觸發(fā)器

一、R-S觸發(fā)器

二、J-K觸發(fā)器

三、D觸發(fā)器



§3.2 MOS加法器

一、MOS半加器

二、MOS全加器


§3.3 MOS譯碼器

一、三變量譯碼器

二、八段譯碼器


§3.4 MOS移位寄存器

一、靜態(tài)移位寄存器

二、動態(tài)移位寄存器


第四章 大規(guī)模集成電路

§4.1 MOS存貯器

一、隨機存取存貯器（RAM）

二、只讀存貯器（ROM）


§4.2 電荷耦合器件（CCD）

一、CCD結(jié)構(gòu)及工作原理

二、CCD基本參數(shù)及結(jié)構(gòu)改進

三、CCD應(yīng)用概述



第五章 MOS集成電路設(shè)計與布圖

§5.1 PMOS集成電路版圖設(shè)計

一、PMOS電路器件設(shè)計

二、版圖設(shè)計


§5.2 CMOS集成電路設(shè)計

一、CMOS電路器件設(shè)計

二、CMOS版圖設(shè)計概要

三、CMOS閾值電壓的設(shè)計



§5.3 超大規(guī)模集成電路設(shè)計的基本原理簡介

一、概述

二、按比例縮小設(shè)計原理


第六章 MOS工藝

§6.1 MOS常規(guī)工藝

一、PMOS工藝

二、NMOS工藝


§6.2 硅柵工藝

一、主要優(yōu)點

二、P溝道硅柵工藝

三、等平面硅柵N溝MOS工藝



§6.3 離子注入技術(shù)在MOS工藝中的應(yīng)用

一、離子注入法調(diào)整MOS器件的VT

二、離子注入實現(xiàn)柵自對準


§6.4 雙層柵工藝

一、MNOS工藝

二、MAOS工藝


§6.5 CMOS工藝

一、基本CMOS工藝敘述

二、離子注入法制造CMOS電路

三、SOS技術(shù)制造CMOS電路



§6.6 E/D MOS工藝

一、離子注入法制造E/DMOS

二、Sio2-AI2O3雙層柵E/DMOS

三、雙擴散法制造E/DMOS



§6.7 VMOS工藝

一、結(jié)構(gòu)與特點

二、VMOS的主要工藝過程


§6.8 生產(chǎn)中電路參數(shù)的監(jiān)測方法