信息來(lái)源: 時(shí)間:2020-11-12
移位寄存器是能寄存信息和具有移位功能的邏輯部件。MOS移位寄存器按照結(jié)構(gòu)可分為靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩種。下面將分別介紹這兩種移位寄存器的結(jié)構(gòu)及其工作原理。MOS靜態(tài)移位寄存器
靜態(tài)移位寄存器可以由主從R-S觸發(fā)器或J-K觸發(fā)器組成。對(duì)于集成電路來(lái)說(shuō),采用主從D觸發(fā)器來(lái)做移位寄存器的單元更為適宜。圖3-21(a)是一個(gè)由四個(gè)R-S觸發(fā)器組成的四位移位寄存器的結(jié)構(gòu)示意圖。
這里我們?nèi)砸訮MOS為例,結(jié)合脈沖波形來(lái)說(shuō)明它的工作過(guò)程,見(jiàn)圖3-21(b)。假設(shè)觸發(fā)器的起始狀態(tài)為“0”,然后輸入一個(gè)“1”電平,當(dāng)輸入信號(hào)的電平由“0”變?yōu)椤?”后,第一個(gè)觸發(fā)器的輸入電平是。移位脈沖(1)到來(lái)后,第一個(gè)觸發(fā)器變?yōu)椤?”狀態(tài),
1,而其它觸發(fā)器狀態(tài)不變,
。此后輸入信號(hào)又變?yōu)椤?”,而第二個(gè)觸發(fā)器的輸入電平是
移位脈沖(2)到來(lái)后,第一個(gè)觸發(fā)器變?yōu)椤?”狀態(tài),
;第二個(gè)觸發(fā)器變?yōu)椤?”狀態(tài),
,第三、四個(gè)觸發(fā)器不變,
。依次類推,移位脈沖(3)使第三個(gè)觸發(fā)器變?yōu)椤?”狀態(tài),其它觸發(fā)器變?yōu)椤?”狀態(tài);移位脈沖(4)使第四個(gè)觸發(fā)器變?yōu)椤?”狀態(tài),其它觸發(fā)器變?yōu)椤?”狀態(tài)。
從以上過(guò)程可以看出,如果輸入信號(hào)中出現(xiàn)一個(gè)“1”,在移位脈沖的作用下,這個(gè)“1”信號(hào)在不同的時(shí)間里寄存在不同的觸發(fā)器中,每來(lái)到一個(gè)移位脈沖,這個(gè)“1”信號(hào)就向右移動(dòng)一位。因此這個(gè)線路叫做靜態(tài)移位寄存器。MOS靜態(tài)移位寄存器
上述移位寄存器的脈沖是向右移的,稱為右移移位寄存器。如果將上述結(jié)構(gòu)加以改進(jìn),就可使移位寄存器既具有右移的功能,又具有左移的功能。圖3-22所示為串行輸入、串行輸出,具有左移和右移功能的八位移位寄存器。MOS靜態(tài)移位寄存器
它的移位原理是這樣的:若控制端加“0”電平,當(dāng)左輸入端(或右輸入端)為信號(hào)“1”時(shí),來(lái)一個(gè)左移(或右移)脈沖,使(或1)管導(dǎo)通,輸入信號(hào)就對(duì)
充電,使
導(dǎo)通,接著控制端加“1”電平,使”
導(dǎo)通。這時(shí)
通過(guò)導(dǎo)通的
接地而變?yōu)椤?”,同時(shí),Q也變?yōu)椤?”。即輸入信號(hào)移入這個(gè)單元。相反,若電容
上為“0”,則
截止,控制脈沖到來(lái)不能改變R-S觸發(fā)器的狀態(tài)。此時(shí)“0”信號(hào)的移入是由總清
加“1”電平來(lái)完成的。但為了使這移位寄存器能穩(wěn)定工作,對(duì)移位、控制和總清
三個(gè)信號(hào)要保持一定的時(shí)間關(guān)系。其波形圖如3-22(c)所示。這里應(yīng)特別注意,控制脈沖的寬度應(yīng)大于總清
的脈沖寬度,否則移位寄存器在
的作用下,每位都將置“0”。這就破壞了移位寄存器的正常工作狀態(tài)。例如,若第n級(jí)存的信號(hào)是“1”(即
),當(dāng)
-“1”時(shí),
要從“1”變?yōu)椤?”,但由于總清脈沖的寬度比控制脈沖的寬度狹,所以總清脈沖過(guò)后,
又立即恢復(fù)到“1”,保證了移位寄存器的正常工作。MOS靜態(tài)移位寄存器
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