MOS晶體管圖形設(shè)計舉例結(jié)構(gòu)詳細(xì)解析

MOS晶體管版圖形設(shè)計舉例

MOS晶體管圖形設(shè)計，制造MOS晶體管，首先要根據(jù)給定的參數(shù)，設(shè)計出符合要求的圖形。這里概要介紹一下根據(jù)跨導(dǎo)gm的要求，來設(shè)計一個MOS晶體管的圖形。

設(shè)閥值電壓時，要求管子的跨導(dǎo)gm=。

根據(jù)條件，所設(shè)計的MOS晶體管為N溝道增強型器件，所給定的ga為飽和區(qū)跨導(dǎo)。這里的圖形設(shè)計，歸結(jié)為確定器件溝道的寬長比。

根據(jù)飽和區(qū)跨導(dǎo)公式：

可寫出器件的寬長比為：

若?。?img src="/userfiles/images/2020/10/27/2020102714517995.png" title="image.png" alt="image.png"/>

可求得：

將上述數(shù)值代入，即求得器件的寬長比為：

如果溝道長度L取8μm，則W取64μm。

于是根據(jù)所確定的寬長比，就可畫出如圖1-41（a）所示的版圖。MOS晶體管圖形設(shè)計其中，大方塊表示襯底P-Si，方塊中左右兩個長方塊表示漏源N⁺區(qū)，中間的間隙，即為溝道的寬與長，溝道上打×的方塊，表示薄氧化層；點劃線表示鋁引線；斜線表示引線孔。若沿虛線AA切開，就可得到如圖1-41（b）所示的截面圖。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1

請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號

請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術(shù)幫助